產地廣東
品牌鼎偉新材料
貨號陶瓷靶材
品名氮化物靶材
純度99.9%
氮化硅是一種重要的結構陶瓷材料。它是一種超硬物質,本身具有潤滑性,并且耐磨損,為原子晶體;高溫時抗氧化。而且它還能抵抗冷熱沖擊,在空氣中加熱到1000℃以上,急劇冷卻再急劇加熱,也不會碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此優異的特性,人們常常利用它來制造軸承、氣輪機葉片、機械密封環、性模具等機械構件。如果用耐高溫而且不易傳熱的氮化硅陶瓷來制造發動機部件的受熱面,不僅可以提高柴油機質量,節省燃料,而且能夠提高熱效率。我國及美國、日本等國家都已研制出了這種柴油機。
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GaN是極穩定的化合物,又是堅硬的高熔點材料,熔點約為1700℃,GaN具有高的電離度,在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是的(0.5或0.43)。在大氣壓力下,GaN晶體一般是六方纖鋅礦結構。它在一個元胞中有4個原子,原子體積大約為GaAs的一半。因為其硬度高,又是一種良好的涂層保護材料。
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aN材料系列是一種理想的短波長發光器件材料,GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅色到紫外的光譜范圍。自從1991年日本研制出同質結GaN藍色 LED之后,InGaN/AlGaN雙異質結超亮度藍色LED、InGaN單量子阱GaNLED相繼問世。目前,Zcd和6cd單量子阱GaN藍色和綠色 LED已進入大批量生產階段,從而填補了市場上藍色LED多年的空白。以發光效率為標志的LED發展歷程見圖3。藍色發光器件在高密度光盤的信息存取、全光顯示、激光打印機等領域有著巨大的應用市場。隨著對Ⅲ族氮化物材料和器件研究與開發工作的不斷深入,GaInN超高度藍光、綠光LED技術已經實現商品化,現在世界各大公司和研究機構都紛紛投入巨資加入到開發藍光LED的競爭行列
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在探測器方面,已研制出GaN紫外探測器,波長為369nm,其響應速度與Si探測器不相上下。但這方面的研究還處于起步階段。GaN探測器將在火焰探測、預警等方面有重要應用。
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