產(chǎn)品等級(jí)優(yōu)級(jí)品
產(chǎn)地/廠商廣東
是否危險(xiǎn)化學(xué)品否
含量≥99.99
品牌鼎偉新材料
LOSFIA在日本成功地了使用實(shí)現(xiàn)常關(guān)MOSFET 的可能性 。這是一項(xiàng)具有開(kāi)創(chuàng)性的工作，因?yàn)樯a(chǎn)常關(guān)MOSFET一直被認(rèn)為挑戰(zhàn)性。FLOSFIA計(jì)劃制造剛玉（corundum，一種晶體結(jié)構(gòu)）α-Ga 2 O 3功率器件，GaO 系列，從TO-220中的肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）開(kāi)始，然后是MOSFET。
二氧化鋯（化學(xué)式：ZrO2）是鋯的主要氧化物，通常狀況下為白色無(wú)臭無(wú)味晶體，難溶于水、鹽酸和稀硫酸。一般常含有少量的二氧化鉿。化學(xué)性質(zhì)不活潑，且具有高熔點(diǎn)、高電阻率、高折射率和低熱膨脹系數(shù)的性質(zhì)，使它成為重要的耐高溫材料、陶瓷絕緣材料和陶瓷遮光劑，亦是人工鉆的主要原料。能帶間隙大約為5-7eV
氧化鎵是一種新興的功率半導(dǎo)體材料，其帶隙大于硅，氮化鎵和碳化硅，但在成為電力電子產(chǎn)品的主要參與者之前，仍需要開(kāi)展更多的研發(fā)和推進(jìn)工作
該材料在各種應(yīng)用中的靈活性源于其廣泛的可能導(dǎo)電性 - 由于其電場(chǎng)強(qiáng)度，從高導(dǎo)電性到非常絕緣性和高擊穿電壓能力。因此，氧化鎵可以達(dá)到極端程度。大面積的氧化鎵晶圓也可以從熔體中生長(zhǎng)，從而降低了制造成本
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