二氧化鈦具有半導體的性能，它的電導率隨溫度的上升而迅速增加，而且對缺氧也非常敏感。例如，金紅石型二氧化鈦在20℃時還是電絕緣體，但加熱到420℃時，它的電導率增加了107倍。稍微減少氧含量，對它的電導率會有的影響，按化學組成的二氧化鈦（TiO2）電導率<10-10s/cm，而TiO1.9995的電導率則高達10-1s/cm。金紅石型二氧化鈦的介電常數和半導體性質對電子工業非常重要，該工業領域利用上述特性，生產陶瓷電容器等電子元器件

氧化鎵是一種新興的功率半導體材料，其帶隙大于硅，氮化鎵和碳化硅，但在成為電力電子產品的主要參與者之前，仍需要開展更多的研發和推進工作

硅原子和氧原子長程有序排列形成晶態二氧化硅，短程有序或長程無序排列形成非晶態二氧化硅。二氧化硅晶體中，硅原子位于正四面體的中心，四個氧原子位于正四面體的四個頂角上，許多個這樣的四面體又通過頂角的氧原子相連，每個氧原子為兩個四面體共有，即每個氧原子與兩個硅原子相結合。二氧化硅的簡式是SiO2，但SiO2不代表一個簡單分子(僅表示二氧化硅晶體中硅和氧的原子個數之比)。純凈的天然二氧化硅晶體，是一種堅硬、脆性、難溶的無色透明的固體，常用于制造光學儀器等

五氧化二鈮:化學式Nb2O5，分子量265.81，白色晶體，熔點1460℃，相對密度4.47，相對介電常數35-50，帶隙3.4eV。受熱至400℃顏色變黃，溶于氫氟酸、熱硫酸及堿，不溶于水是穩定的氧化物。其水合物的化學式為Nb2O5· xH2O，受熱分解，可溶于、濃鹽酸、氫氟酸及強堿, 不溶于水及氨水，在空氣中灼燒金屬鈮或由鈮酸脫水可得。
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