東莞市鼎偉靶材有限公司是專業生產高純金屬材料，蒸發鍍膜材料以及濺射靶材的高新技術企業應用開發的科技型民營股份制工貿有限公司。公司以青島大學和青島科技大學蒸發材料專業為技術依托，擁有多名中高級專業技術人員和專業化應用實驗室，具有很強的蒸發材料開發能力。公司先后研發的蒸發材料、濺射靶材系列產品廣泛應用到國內外眾多知名電子、太陽能企業當中，以較高的性價比，成功發替代了國外進口產品，頗受用戶**。
鎳鉻靶NiCr廠家直銷
東莞市鼎偉靶材有限公司
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公司主要經營產品：
一、真空鍍膜材料
1．高純真空濺射靶材（99.9％——99.999％）
高純金屬靶材：鋯靶Zr、鉻靶Cr、鈦靶Ti、鋁靶Al、錫靶Sn、釩靶V、銻靶Sb、銦靶、硼靶B、鎢靶W、錳靶Mn、鉍靶Bi、銅靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、鉭靶 Ta、鋅靶Zn、鎂靶Mg、鈮靶Nb、鉬靶Mo、鈷靶Co、鐵靶Fe、鍺靶Ge、鉿靶Hf、鉛靶Pb、鎳靶Ni、銀靶Ag、硒靶Se、鈹靶Be、碲靶Te、不銹鋼靶材S.S等……
多元合金靶材： 鈦鋁靶Ti-Al、鈦鋯靶Ti-Zr、鈦硅靶Ti-Si、鈦鎳靶Ti-Ni、鎳鉻靶Ni-Gr、鎳鋁靶Ni-Al、鎳釩靶Ni-V、鎳鐵靶Ni-Fe、鐵鈷靶Fe-Co、鋁硅靶Al-Si、鈦硅靶Ti-Si、鉻硅靶Cr-Si、鋅鋁靶Zn-Al、鈦鋅靶材Ti-Zn、鋁硅銅靶Al-Si-Cu等……
陶瓷濺射靶材：ITO靶、單晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化鈦靶TiO2、氧化鋯靶ZrO2、二硼化鈦靶TiB2、氧化鎂靶MgO、碳化硼靶BC、氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC、三氧化二釔靶Y2O3、五氧化二釩靶V2O5、氧化鋅靶ZnO、硫化鋅靶ZnS、硫化鉬靶MoS、硫化鎢靶WS、氧化鋅鋁靶ZAO、氧化鋁靶Al2O3、鈦酸鍶靶SrTiO3、五氧化二鉭靶Ta2O5、五氧化二鈮靶Nb2O5、氧化鋅鎵靶ZGO、氧化鋅硼靶ZBO、砷化鎵靶GaAs，磷化鎵靶GaP，硒化鋅靶、錳酸鋰靶、鎳鈷酸鋰靶、鉭酸鋰靶，鈮酸鋰靶、等…
稀土金屬靶：鑭靶、鈰靶、鐠靶、釹靶、釤靶、銪靶、釓靶、鋱靶、鏑靶、鈥靶、鉺靶、銩靶、鐿靶、镥靶、釔靶等…
稀土氧化物靶：氧化鑭靶、氧化鈰靶、氧化鐠靶、氧化釤靶、氧化銪靶、氧化釹靶、氧化釓靶、氧化鋱靶、氧化鏑靶、氧化鈥靶、氧化鉺靶、氧化銩靶、氧化鐿靶、氧化镥靶
金屬膜電阻器用Ni-Cr-Si/ Ni-Cr-Mn-Cu濺射靶材：
金屬膜電阻器用靶材包括高阻系列（ZYG）、中阻系列（ZYZ）和低阻系列（ZYC）、超低阻系列（ZYCD）。
2．高純光學鍍膜材料（99.99％——99.999％）
氧化物：一氧化硅、二氧化硅、一氧化鈦、二氧化鈦、三氧化二鈦、五氧化三鈦、二氧化鋯、二氧化鉿、二氧化鈰、二鈦酸鐠、三氧化鎢、五氧化二鉭、五氧化二鈮、三氧化二鈧、三氧化二鋁、三氧化二銦、氧化鐿、氧化鋅、氧化鎂、氧化釓、氧化釤、氧化釹、氧化鈣、氧化鐠、氧化鉍、氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鐵、氧化釩等…
氟化物：氟化鎂、氟化鈣、氟化釹、氟化鑭、氟化鐿、氟化釔、氟化鉺、氟化T(不是聯系方式)釤、氟化鏑、氟化鈰、氟化鋇、氟化鍶、氟化鉀、氟化鈉等…
硫化物：硫化鋅、硫化鉬、硫化鈣、硫化銻、硫化鐵、硫化鈉等…

面板顯示產業是電子信息產業的支柱，屬于戰略性基礎產業。中國是全球電子產品消費大國和制造大國，對面板的消費一直保持高速增長，并位居世界首位。2013年，國內生產的終端電子產品對液晶顯示面板的需求高達9300萬平方米，約占全球的62%。與此同時，工信部數據顯示，2013年以液晶面板為代表的平板顯示生產能力將達5000萬平方米，產業規模達1070億元，同比增長44.6%。據不完全統計液晶面板業總投資規模(含建成、在建和規劃)已超過3000億元。未來5年，中國大陸將有15條6代以上的高世代線面板廠建成并投入運作。

【原創內容】
其是采用金屬銦進行帖合的比較容易進行清潔和重新使用。如果是采用其他帖合劑（包括環氧樹脂）則可能需要采用機械處理的方式對背靶表面處理后才能重復使用。當我們收到用戶需要進行高溫帖合的條件下，無氧化銅容易被氧化和發生翹曲,所以會使用金屬鉬為背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金屬靶材的熱膨脹系數無法與無氧銅匹配，同樣也需要使用金平整度，同時確保O型密封圈始終在位置上。四、短路及密封性檢查靶材完成安裝后需要對整個陰極進行短路檢查及密封性檢查，建議通過使用電阻儀搖表的方式對陰極是否存在短是無氧銅，因為無氧銅具有良好的導電性和導熱性，而且比較容易機械加工。如果保養適當，無氧銅背靶可以重復使用10次甚至更多。鉬(Mo)–在某些使用條件比較特殊的情況下，如和背靶避免在運輸和儲存過程中發生損壞。一、濺射準備保持真空腔體尤其是濺射系統潔凈是非常重要的。任何由潤滑油和灰塵以及前期鍍膜所形成的殘留物會收集水氣及其他污染物，濺射工藝進行過程中靶表面濺射溝道區域內出現被反應生成物覆蓋或反應生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合用。靶材進行預濺射時建議慢慢加大濺射功率，陶瓷類靶材的功率加大速率建議為1.5W小時/平方厘米。金屬類靶材的預濺射速度可以比陶瓷靶材塊，一個合理的功率加大速率為能重復使用。當我們收到用戶提供的已使用過的背靶后，我們會首先進行卸靶處理（如適用）并且對背靶進行完全檢查，檢查的重點包括背靶的平整度，完整性及密封性等。我們會通知